Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD13N03LA G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD13N03LA G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12800295
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD13N03LA G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1043 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
46W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD13N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD13N03LA G
HTML Спецификация
IPD13N03LA G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD13N03LAINCT
IPD13N03LAGINCT-NDR
IPD13N03LAG
IPD13N03LAGINCT
IPD13N03LAGBUMA1
IPD13N03LAGXT
SP000017537
IPD13N03LAGXTINCT
IPD13N03LAINCT-DG
IPD13N03LAINTR
IPD13N03LAGINTR-NDR
IPD13N03LA
IPD13N03LAGXTINTR-DG
IPD13N03LAINTR-DG
IPD13N03LAGXTINTR
IPD13N03LAGINTR
IPD13N03LAGXTINCT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD135N03LGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
31780
Номер части
IPD135N03LGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.26
Тип замещения
Direct
Номер детали
IPF13N03LA G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
468
Номер части
IPF13N03LA G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.34
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPD60R1K4C6
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPC60R180P7X7SA1
MOSFET N-CH DIE
IPB65R190CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK